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PECVD石墨舟片采用高纯等静压石墨精密加工,为硅片提供稳定的电极接触与定位支撑。槽位间距精度可控,确保镀膜均匀性及批次一致性,适用于PERC、TOPCon及HJT等高效电池产线的氮化硅、氧化铝薄膜沉积工艺。石墨环(舟间距控制环)设置于石墨舟片之间的间距控制部件。其自润滑特性可显著降低硅片插取过程中的边缘应力,替代传统陶瓷环使用,从源头减少破片及隐裂风险,同时维持舟体结构的电气绝缘性能。石墨加热器

  1. 详细信息

PECVD石墨舟片

采用高纯等静压石墨精密加工,为硅片提供稳定的电极接触与定位支撑。槽位间距精度可控,确保镀膜均匀性及批次一致性,适用于PERC、TOPCon及HJT等高效电池产线的氮化硅、氧化铝薄膜沉积工艺。


石墨环(舟间距控制环)

设置于石墨舟片之间的间距控制部件。其自润滑特性可显著降低硅片插取过程中的边缘应力,替代传统陶瓷环使用,从源头减少破片及隐裂风险,同时维持舟体结构的电气绝缘性能。


石墨加热器

利用石墨低电压大电流直接发热特性实现高温加热。最高使用温度可达3000℃(惰性气氛),机械强度随温度升高而增加,适用于单晶硅炉、高温烧结及PECVD热场系统。结构设计注重温度场均匀性与长期热稳定性。

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